定義：具有p-i-n型半導體機構的光電二極管。
PIN型光電二極管是在n型摻雜和p型摻雜中間存在本征層（i:即未摻雜的）的光電二極管。大多數光子是在本征層被吸收，然后在該處產生載流子形成光電流。在圖1中，電極顯示為黑色：陰極是平的電極，而陽極則是環形（其中兩個相反的部分可以在交叉區域看到）。偏置電壓（反向）的正極與陰極相連。在p型摻雜區域上方有抗反射涂層。圖1：p-i-n型光電二極管示意圖。綠色區域為抗反射涂層
與常規的p-n型光電二極管相比，p-i-n型光電二極管具有更厚的耗盡層，能夠更有效的收集載流子，因此量子效率更高，同時電容量更小，探測帶寬更大。
如果波長達到約1700nm（或者光譜擴深圳市華聯歐國際貿易有限公司是歐美工業備品備件一站式服務商，貨源充足，型號齊全，質量可靠，售后服務佳。專業原裝行貨，正品保證，歡迎來電咨詢!所有產品售后有質保，并且有終身免費技術指導。我們有專業的客服團隊，24小時進行服務。下面是深圳華聯歐小編精心為大家推薦的產品科普一下光電微知識：了解一下“PIN型光電二極管”，如果您喜歡可以繼續閱讀詳細瀏覽一下去看看了解一下吧，關注收藏我們網址，每天為大家推送更多的干貨!
定義：具有p-i-n型半導體機構的光電二極管。
PIN型光電二極管是在n型摻雜和p型摻雜中間存在本征層（i:即未摻雜的）的光電二極管。大多數光子是在本征層被吸收，然后在該處產生載流子形成光電流。在圖1中，電極顯示為黑色：陰極是平的電極，而陽極則是環形（其中兩個相反的部分可以在交叉區域看到）。偏置電壓（反向）的正極與陰極相連。在p型摻雜區域上方有抗反射涂層。
圖1：p-i-n型光電二極管示意圖。綠色區域為抗反射涂層
與常規的p-n型光電二極管相比，p-i-n型光電二極管具有更厚的耗盡層，能夠更有效的收集載流子，因此量子效率更高，同時電容量更小，探測帶寬更大。
如果波長達到約1700nm（或者光譜擴展到2600nm），可以使用InGaAs p-i-n型二極管，但是成本更高（尤其是有源區較大時）。鍺p-i-n二極管也是一個選擇。
快的p-i-n光電二極管的帶寬可達幾十GHz。有源區直徑通常在幾百微米。有些這種二極管可以制作成 光纖耦合的形式應用到光纖通信中作為接收器。
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